BSH205G2R-VB
IC
SOT-23-3
可供量大可议
BSH205G2R-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； P—Channel沟道, -20V； -3.5A； RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=-0.7~-2V； 是一款单路P型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造。 具有优异的性能参数， 适用于多种电路应用例如移动设备模块、LED照明驱动模块、电源管理模块。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
20
货期
现货
BSH205G2R-VB参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BSH205G2R-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； P—Channel沟道, -20V； -3.5A； RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=-0.7~-2V； 是一款单路P型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造。 具有优异的性能参数， 适用于多种电路应用例如移动设备模块、LED照明驱动模块、电源管理模块。
BSH205G2R-VB特性
暂无产品特性。
BSH205G2R-VB应用领域
暂无应用领域。