BSH205G2R
IC
SOT-23
可供量大可议
BSH205G2R
P沟道增强型场效应晶体管 (FET)， 采用沟槽MOSFET技术， 封装于小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
品牌
Nexperia
封装
SOT-23
库存
8,610
货期
现货
BSH205G2R参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8610 |
BSH205G2R概述
P沟道增强型场效应晶体管 (FET)， 采用沟槽MOSFET技术， 封装于小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
BSH205G2R特性
暂无产品特性。
BSH205G2R应用领域
暂无应用领域。