BSH205G2AR
IC
TO-236AB
可供量大可议
BSH205G2AR
P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)， 采用沟槽 MOSFET 技术， 封装在小型 SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
品牌
Nexperia
封装
TO-236AB
库存
2,700
货期
现货
BSH205G2AR参数
| 封装 | TO-236AB |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2700 |
BSH205G2AR概述
P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)， 采用沟槽 MOSFET 技术， 封装在小型 SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
BSH205G2AR特性
暂无产品特性。
BSH205G2AR应用领域
暂无应用领域。