BSH201,215-VB
IC
SOT-23
可供量大可议
BSH201,215-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23-3； P—Channel沟道； -60V； -0.5A； RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-1.7V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
SOT-23
库存
200
货期
现货
BSH201,215-VB参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
BSH201,215-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23-3； P—Channel沟道； -60V； -0.5A； RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-1.7V； 采用Trench技术
BSH201,215-VB特性
暂无产品特性。
BSH201,215-VB应用领域
暂无应用领域。