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BSH201,215
IC

SOT-23

可供量大可议

BSH201,215

场效应管(MOSFET) 417mW 60V 300mA 1个P沟道

品牌

Nexperia

封装

SOT-23

库存

92,474

货期

现货

BSH201,215参数

封装SOT-23
品牌Nexperia(安世)
批次25+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))4.25Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))1.9V
输入电容(Ciss)70pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)15pF
分类场效应管(MOSFET)
库存92,474
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)417mW
栅极电荷量(Qg)3nC@10V
反向传输电容(Crss)5pF
类型P沟道

BSH201,215概述

场效应管(MOSFET) 417mW 60V 300mA 1个P沟道

BSH201,215特性

暂无产品特性。

BSH201,215应用领域

暂无应用领域。

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