BSH114-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BSH114-HXY
此场效应管为N型， 电流2A， 可满足较低功率需求。 电压为100V， 适应高电压环境。 内阻典型值220mR。 VGS为20V。 在消费电子领域， 可用于对电流要求不高但电压较高的电子设备， 确保设备稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
185
货期
现货
BSH114-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 185 |
BSH114-HXY概述
此场效应管为N型， 电流2A， 可满足较低功率需求。 电压为100V， 适应高电压环境。 内阻典型值220mR。 VGS为20V。 在消费电子领域， 可用于对电流要求不高但电压较高的电子设备， 确保设备稳定运行。
BSH114-HXY特性
暂无产品特性。
BSH114-HXY应用领域
暂无应用领域。