BSH111BKR
IC
SOT-23
可供量大可议
BSH111BKR
场效应管(MOSFET) 302mW 55V 210mA 1个N沟道
品牌
Nexperia
封装
SOT-23
库存
11,797
货期
现货
BSH111BKR参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 输入电容(Ciss) | 30pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11,797 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 55V |
| 耗散功率(Pd) | 364mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF |
BSH111BKR概述
场效应管(MOSFET) 302mW 55V 210mA 1个N沟道
BSH111BKR特性
暂无产品特性。
BSH111BKR应用领域
暂无应用领域。