BSH103,215-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
BSH103,215-JSM
漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：850mA 导通电阻(RDS(on))：650mΩ@2.5V 耗散功率(Pd)：360mW 阈值电压(Vgs(th))：1.2V@250uA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
2,660
货期
现货
BSH103,215-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2660 |
BSH103,215-JSM概述
漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：850mA 导通电阻(RDS(on))：650mΩ@2.5V 耗散功率(Pd)：360mW 阈值电压(Vgs(th))：1.2V@250uA
BSH103,215-JSM特性
暂无产品特性。
BSH103,215-JSM应用领域
暂无应用领域。