BSG0811NDATMA1
IC
TISON-8
可供量大可议
BSG0811NDATMA1
特性：双不对称N沟道OptiMOS 5 MOSFET逻辑电平（额定4.5V）， 针对高性能降压转换器进行优化。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TISON-8
库存
12
货期
现货
BSG0811NDATMA1参数
| 封装 | TISON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
BSG0811NDATMA1概述
特性：双不对称N沟道OptiMOS 5 MOSFET逻辑电平（额定4.5V）， 针对高性能降压转换器进行优化。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSG0811NDATMA1特性
暂无产品特性。
BSG0811NDATMA1应用领域
暂无应用领域。