BSDL10S65E6-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复电压（VR）达650V， 典型正向压降（VF）为1.37V， 导通损耗较低。 其非重复浪涌正向电流（IFSM）为80A， 具备良好的瞬态电流承受能力。 凭借碳化硅材料的特性， 器件在高频工作条件下仍能保持高效性能和快速开关响应， 适用于高效率电源转换、开关模式电源及高频整流等应用场合。