BSDH10S65E6-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复电压（VR）达650V， 正向压降（VF）典型值为1.38V， 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。 其低导通压降与高耐压特性相结合， 适用于对效率和开关性能要求较高的电源转换场合， 尤其在高频运行环境中能有效降低损耗， 提升系统整体能效。