BSDH08G65E2-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
BSDH08G65E2-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.38V。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料的固有优势, 其在高频开关条件下仍能维持较低导通损耗与稳定性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换及高频整流场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
BSDH08G65E2-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
BSDH08G65E2-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.38V。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料的固有优势, 其在高频开关条件下仍能维持较低导通损耗与稳定性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换及高频整流场合。
BSDH08G65E2-HXY特性
暂无产品特性。
BSDH08G65E2-HXY应用领域
暂无应用领域。
