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BSDH08G65E2-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

BSDH08G65E2-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.38V。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料的固有优势, 其在高频开关条件下仍能维持较低导通损耗与稳定性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换及高频整流场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

BSDH08G65E2-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

BSDH08G65E2-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.38V。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料的固有优势, 其在高频开关条件下仍能维持较低导通损耗与稳定性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换及高频整流场合。

BSDH08G65E2-HXY特性

暂无产品特性。

BSDH08G65E2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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