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BSDH06G65E2-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

BSDH06G65E2-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温工作环境中展现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换系统。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体电路能效与响应速度。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

BSDH06G65E2-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

BSDH06G65E2-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温工作环境中展现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换系统。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体电路能效与响应速度。

BSDH06G65E2-HXY特性

暂无产品特性。

BSDH06G65E2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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