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BSD5C121V
IC

SOD-523

可供量大可议

BSD5C121V

特性:200瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触, ±30kV空气。 应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理(PDA)

Brand

BORN

Package

SOD-523

Stock

38,310

货期

现货

BSD5C121VParameters

封装SOD-523
品牌BORN(伯恩半导体)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存38310

BSD5C121V概述

特性:200瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触, ±30kV空气。 应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理(PDA)

BSD5C121V特性

暂无产品特性。

BSD5C121V应用领域

暂无应用领域。

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