BSD3C051R2
IC
SOD-323
可供量大可议
BSD3C051R2
特性：232 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF 典型值）。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
SOD-323
库存
1,270
货期
现货
BSD3C051R2参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1270 |
BSD3C051R2概述
特性：232 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF 典型值）。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
BSD3C051R2特性
暂无产品特性。
BSD3C051R2应用领域
暂无应用领域。