BSD223PH6327
IC
SOT-363
可供量大可议
BSD223PH6327
特性：双P沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 工作温度150°C。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SOT-363
库存
2,030
货期
现货
BSD223PH6327参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2030 |
BSD223PH6327概述
特性：双P沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 工作温度150°C。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSD223PH6327特性
暂无产品特性。
BSD223PH6327应用领域
暂无应用领域。