BSC252N10NSF G
IC
TDSON-8(5x6)
可供量大可议
BSC252N10NSF G
特性：极低的栅极电荷， 适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TDSON-8(5x6)
库存
1
货期
现货
BSC252N10NSF G参数
| 封装 | TDSON-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
BSC252N10NSF G概述
特性：极低的栅极电荷， 适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
BSC252N10NSF G特性
暂无产品特性。
BSC252N10NSF G应用领域
暂无应用领域。