BSC160N10NS3G-MS
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC160N10NS3G-MS
此款BSC160N10NS3G-MS为N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装， 特别为高功率密度应用设计。 额定电压100V， 能承载高达75A连续电流， 适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景， 提供卓越的导通性能与热管理效率， 是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
452
货期
现货
BSC160N10NS3G-MS参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 452 |
BSC160N10NS3G-MS概述
此款BSC160N10NS3G-MS为N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装， 特别为高功率密度应用设计。 额定电压100V， 能承载高达75A连续电流， 适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景， 提供卓越的导通性能与热管理效率， 是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
BSC160N10NS3G-MS特性
暂无产品特性。
BSC160N10NS3G-MS应用领域
暂无应用领域。