BSC160N10NS3G-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
BSC160N10NS3G-HXY
这款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 特别为高功率密度应用设计。 额定电压100V, 能承载高达75A连续电流, 适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景, 提供卓越的导通性能与热管理效率, 是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
1
货期
现货
BSC160N10NS3G-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
BSC160N10NS3G-HXY概述
这款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 特别为高功率密度应用设计。 额定电压100V, 能承载高达75A连续电流, 适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景, 提供卓越的导通性能与热管理效率, 是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
BSC160N10NS3G-HXY特性
暂无产品特性。
BSC160N10NS3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
