BSC159N10LSF G
IC
TDSON-8(5x6)
可供量大可议
BSC159N10LSF G
特性：N沟道， 逻辑电平。 极低的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准； 无卤。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TDSON-8(5x6)
库存
1
货期
现货
BSC159N10LSF G参数
| 封装 | TDSON-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
BSC159N10LSF G概述
特性：N沟道， 逻辑电平。 极低的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准； 无卤。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSC159N10LSF G特性
暂无产品特性。
BSC159N10LSF G应用领域
暂无应用领域。