BSC150N03LDGATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
BSC150N03LDGATMA1
特性：双N沟道、逻辑电平快速开关MOSFET， 适用于开关电源。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准， 适用于目标应用。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
13
货期
现货
BSC150N03LDGATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
BSC150N03LDGATMA1概述
特性：双N沟道、逻辑电平快速开关MOSFET， 适用于开关电源。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准， 适用于目标应用。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤
BSC150N03LDGATMA1特性
暂无产品特性。
BSC150N03LDGATMA1应用领域
暂无应用领域。