BSC12DN20NS3 G
IC
TDSON-8-EP(5x6)
可供量大可议
BSC12DN20NS3 G
特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 工作温度150℃。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TDSON-8-EP(5x6)
库存
68
货期
现货
BSC12DN20NS3 G参数
| 封装 | TDSON-8-EP(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 68 |
BSC12DN20NS3 G概述
特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 工作温度150℃。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSC12DN20NS3 G特性
暂无产品特性。
BSC12DN20NS3 G应用领域
暂无应用领域。