BSC123N08NS3G-MS
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC123N08NS3G-MS
此款BSC123N08NS3G-MS场效应管采用1个N沟道设计， 采用 DFN5X6-8L紧凑型封装， 精准适配现代高效能电子设备设计需求； 核心亮点在于 100V 高漏源电压（VDSS）与75A连续漏极电流的强承载组合， 搭配 7.3mΩ低导通电阻带来的卓越导通性能， 即使在大电流应用环境下， 也能稳定维持低功耗与高效能， 为高功率场景提供可靠功率控制支持
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
167
货期
现货
BSC123N08NS3G-MS参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 167 |
BSC123N08NS3G-MS概述
此款BSC123N08NS3G-MS场效应管采用1个N沟道设计， 采用 DFN5X6-8L紧凑型封装， 精准适配现代高效能电子设备设计需求； 核心亮点在于 100V 高漏源电压（VDSS）与75A连续漏极电流的强承载组合， 搭配 7.3mΩ低导通电阻带来的卓越导通性能， 即使在大电流应用环境下， 也能稳定维持低功耗与高效能， 为高功率场景提供可靠功率控制支持
BSC123N08NS3G-MS特性
暂无产品特性。
BSC123N08NS3G-MS应用领域
暂无应用领域。