BSC123N08NS3G-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
BSC123N08NS3G-HXY
BSC123N08NS3G 是一款N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为现代高效能电子设备设计。 器件亮点在于最大漏源电压VDSS高达100V， 可承受75A的连续漏极电流， 且具备卓越的导通性能， 导通电阻仅7.3mR， 确保在大电流应用环境下仍维持低功耗与高效能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
46
货期
现货
BSC123N08NS3G-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
BSC123N08NS3G-HXY概述
BSC123N08NS3G 是一款N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为现代高效能电子设备设计。 器件亮点在于最大漏源电压VDSS高达100V， 可承受75A的连续漏极电流， 且具备卓越的导通性能， 导通电阻仅7.3mR， 确保在大电流应用环境下仍维持低功耗与高效能。
BSC123N08NS3G-HXY特性
暂无产品特性。
BSC123N08NS3G-HXY应用领域
暂无应用领域。