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BSC118N10NSG
IC

TDSON-8

可供量大可议

BSC118N10NSG

特性:N-channel, normal level。 优秀的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅引脚镀层; 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

品牌

Infineon

封装

TDSON-8

库存

6

货期

现货

BSC118N10NSG参数

封装TDSON-8
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存6

BSC118N10NSG概述

特性:N-channel, normal level。 优秀的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅引脚镀层; 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

BSC118N10NSG特性

暂无产品特性。

BSC118N10NSG应用领域

暂无应用领域。

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