BSC118N10NS G-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
BSC118N10NS G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域， 为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 100V； 65A； RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=3~5V
Brand
VBsemi
Package
DFN5x6-8
Stock
14
货期
现货
BSC118N10NS G-VBParameters
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14 |
BSC118N10NS G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域， 为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 100V； 65A； RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=3~5V
BSC118N10NS G-VB特性
暂无产品特性。
BSC118N10NS G-VB应用领域
暂无应用领域。