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BSC117N08NS5
自营可供
IC

TDSON-8(5x6)

BSC117N08NS5

场效应管(MOSFET) BSC117N08NS5

品牌

Infineon

封装

TDSON-8(5x6)

交期

现货

批次

两年内

BSC117N08NS5参数

封装TDSON-8(5x6)
品牌Infineon(英飞凌)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))11.7mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3.8V
输入电容(Ciss)1nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)180pF
分类场效应管(MOSFET)
库存17,242
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)80V
耗散功率(Pd)2.5W
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
反向传输电容(Crss)11pF
类型N沟道

BSC117N08NS5概述

场效应管(MOSFET) BSC117N08NS5

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