BSC109N10NS3G-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
BSC109N10NS3G-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道； 100V； 55A； RDS(ON)=9.5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用SGT技术
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
1
货期
现货
BSC109N10NS3G-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
BSC109N10NS3G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道； 100V； 55A； RDS(ON)=9.5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用SGT技术
BSC109N10NS3G-VB特性
暂无产品特性。
BSC109N10NS3G-VB应用领域
暂无应用领域。