BSC109N10NS3G
IC
TDSON-8(5x6)
可供量大可议
BSC109N10NS3G
特性：非常低的栅极电荷， 适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 × 导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层， 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
品牌
Infineon
封装
TDSON-8(5x6)
库存
96
货期
现货
BSC109N10NS3G参数
| 封装 | TDSON-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 96 |
BSC109N10NS3G概述
特性：非常低的栅极电荷， 适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 × 导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层， 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
BSC109N10NS3G特性
暂无产品特性。
BSC109N10NS3G应用领域
暂无应用领域。