BSC105N10LSF G
IC
TDSON-8
可供量大可议
BSC105N10LSF G
特性：N-channel, logic level。 极低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准； 无卤。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
4,895
货期
现货
BSC105N10LSF G参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4895 |
BSC105N10LSF G概述
特性：N-channel, logic level。 极低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准； 无卤。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
BSC105N10LSF G特性
暂无产品特性。
BSC105N10LSF G应用领域
暂无应用领域。