BSC100N10NSFG-HXY

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备优异的电气性能， 漏源电压VDSS为100V， 最大持续漏极电流ID可达75A， 满足中高功率场景需求。 导通电阻RD(on)低至6.4mΩ， 有助于减少导通损耗， 提高整体效率。 该器件适用于电源转换、开关控制、负载驱动及高效能电子系统， 适合对热管理和电气性能有较高要求的设计。 标准封装形式便于PCB布局与批量生产， 是一款适用于多种通用工程应用的功率器件。