BSC100N06LS3G
自营可供
IC
TDSON-8(5x6)
BSC100N06LS3G
场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 12A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
TDSON-8(5x6)
交期
现货
批次
26+
BSC100N06LS3G参数
| 封装 | TDSON-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:50A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18,686 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | BSC100N06LS3G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004 |
BSC100N06LS3G概述
场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 12A 1个N沟道
BSC100N06LS3G特性
- 适用于高频开关和同步整流
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)
- 优异的热阻
- N 沟道、逻辑电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层
- 符合 RoHS 标准
- 按照 JEDEC 标准针对目标应用进行认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品