BSC100N06LS3G-JSM
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC100N06LS3G-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：7.8mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
430
货期
现货
BSC100N06LS3G-JSM参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 430 |
BSC100N06LS3G-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：7.8mR @20A, 10V
BSC100N06LS3G-JSM特性
暂无产品特性。
BSC100N06LS3G-JSM应用领域
暂无应用领域。