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BSC100N06LS3G
IC

可供量大可议

BSC100N06LS3G

2.5W 20V 34nC 1个N沟道 60V 10mΩ@ 10V 2.6nF@ 30V TDSON-8 贴片安装, 黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm

品牌

infineon

封装

库存

2,859

货期

现货

BSC100N06LS3G参数

分类场效应管(MOSFET)
库存2859
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)50W
输入电容(Ciss)3.5nF
工作温度-55℃~+150℃
品牌infineon
批次2623+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
反向传输电容(Crss)24pF

BSC100N06LS3G概述

场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 12A 1个N沟道

BSC100N06LS3G特性

暂无产品特性。

BSC100N06LS3G应用领域

暂无应用领域。

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