BSC0993NDATMA1
IC
TISON-8
可供量大可议
BSC0993NDATMA1
特性：双N沟道OptiMOS MOSFET， 优化了开关性能。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 适用于无线充电器。 符合JEDEC1标准， 适用于目标应用。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TISON-8
库存
20
货期
现货
BSC0993NDATMA1参数
| 封装 | TISON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BSC0993NDATMA1概述
特性：双N沟道OptiMOS MOSFET， 优化了开关性能。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 适用于无线充电器。 符合JEDEC1标准， 适用于目标应用。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSC0993NDATMA1特性
暂无产品特性。
BSC0993NDATMA1应用领域
暂无应用领域。