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BSC098N10NS5-VB
IC

DFN-8

可供量大可议

BSC098N10NS5-VB

台积电流片, 长电封测。 DFN򑵼 (𢺫 X𮧂 ); N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V; 𮧂 𢺫 A; RDS(ON)=𮧂 mΩ@VGS=󗙻 򏟋 V, VGS=򘞟 򏟋 V; Vth=򘞟 񄂹 𢺫 V; 具有超低导通电阻和高电流承载能力, 适用于对效率、热性能和功率密度要求较高的中高压开关场景。

品牌

VBsemi

封装

DFN-8

库存

50

货期

现货

BSC098N10NS5-VB参数

封装DFN-8
品牌VBsemi/微碧半导体
批次23+
分类场效应管(MOSFET)
库存50
MOQ / SPQ5 / 1

BSC098N10NS5-VB概述

台积电流片, 长电封测。 DFN򑵼 (𢺫 X𮧂 ); N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V; 𮧂 𢺫 A; RDS(ON)=𮧂 mΩ@VGS=󗙻 򏟋 V, VGS=򘞟 򏟋 V; Vth=򘞟 񄂹 𢺫 V; 具有超低导通电阻和高电流承载能力, 适用于对效率、热性能和功率密度要求较高的中高压开关场景。

BSC098N10NS5-VB特性

暂无产品特性。

BSC098N10NS5-VB应用领域

暂无应用领域。

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