BSC096N10LS5ATMA1-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具有较高的电流承载能力， 持续漏极电流ID可达75A， 漏源电压VDSS为100V， 确保在中高功率应用中的稳定性。 导通电阻RD(on)低至6.4mΩ， 可有效降低导通损耗， 提高系统效率。 适用于电源管理、开关电路、负载控制及高性能电子设备中， 满足对能效和散热要求较高的场景。 器件采用标准封装形式， 便于集成与量产， 是一款性能均衡的通用型MOSFET。