BSC0923NDI
IC
TISON-8-EP(6x5)
可供量大可议
BSC0923NDI
特性：双N沟道OptiMOS MOSFET。 针对高性能降压转换器进行优化。 逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TISON-8-EP(6x5)
库存
205
货期
现货
BSC0923NDI参数
| 封装 | TISON-8-EP(6x5) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 205 |
BSC0923NDI概述
特性：双N沟道OptiMOS MOSFET。 针对高性能降压转换器进行优化。 逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSC0923NDI特性
暂无产品特性。
BSC0923NDI应用领域
暂无应用领域。