BSC0911ND
IC
TISON-8-EP(6x5)
可供量大可议
BSC0911ND
双N沟道OptiMOS MOSFET， 适用于高性能降压转换器， 逻辑电平， 符合JEDEC标准， 无铅、无卤
品牌
Infineon
封装
TISON-8-EP(6x5)
库存
10
货期
现货
BSC0911ND参数
| 封装 | TISON-8-EP(6x5) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
BSC0911ND概述
双N沟道OptiMOS MOSFET， 适用于高性能降压转换器， 逻辑电平， 符合JEDEC标准， 无铅、无卤
BSC0911ND特性
暂无产品特性。
BSC0911ND应用领域
暂无应用领域。