BSC0910NDI-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
BSC0910NDI-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； 2个N—Channel沟道, 30V； 60A； RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V； 是一款半桥N+N型场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。
Brand
VBsemi
Package
DFN5x6-8
Stock
10
货期
现货
BSC0910NDI-VBParameters
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
BSC0910NDI-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； 2个N—Channel沟道, 30V； 60A； RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V； 是一款半桥N+N型场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。
BSC0910NDI-VB特性
暂无产品特性。
BSC0910NDI-VB应用领域
暂无应用领域。