BSC0901NSIATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
BSC0901NSIATMA1
特性：针对高性能同步整流进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)， 在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
941
货期
现货
BSC0901NSIATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 941 |
BSC0901NSIATMA1概述
特性：针对高性能同步整流进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)， 在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素
BSC0901NSIATMA1特性
暂无产品特性。
BSC0901NSIATMA1应用领域
暂无应用领域。