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BSC084P03NS3GATMA1
IC

TDSON-8

可供量大可议

BSC084P03NS3GATMA1

特性:单P沟道, 采用SuperSO8封装。 符合JEDEC标准, 适用于目标应用。 工作温度为150℃。 经过100%雪崩测试。 VGS = 25V, 特别适用于笔记本应用。 无铅, 符合RoHS标准。 应用:电池管理。 负载开关

品牌

Infineon

封装

TDSON-8

库存

3

货期

现货

BSC084P03NS3GATMA1参数

封装TDSON-8
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

BSC084P03NS3GATMA1概述

特性:单P沟道, 采用SuperSO8封装。 符合JEDEC标准, 适用于目标应用。 工作温度为150℃。 经过100%雪崩测试。 VGS = 25V, 特别适用于笔记本应用。 无铅, 符合RoHS标准。 应用:电池管理。 负载开关

BSC084P03NS3GATMA1特性

暂无产品特性。

BSC084P03NS3GATMA1应用领域

暂无应用领域。

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