BSC082N10LSGATMA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其较低的导通电阻有助于降低导通损耗， 提升系统效率。 适用于对功率密度和热性能有较高要求的应用场景， 如开关电源、电机驱动、电池管理系统及高效率功率转换装置， 在高频或持续大电流工作条件下可保持稳定运行。