BSC080P03LSG-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
BSC080P03LSG-HXY
BSC080P03LSG P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 具备优良的散热性能和空间优化设计。 该器件参数强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V， 可承载70A连续大电流， 而6mΩ的低导通电阻(RD(on))保证了高效能与低功耗表现。 广泛应用在电源转换、电机驱动等大电流处理领域， 是提升系统性能和实现节能方案的理想半导体组件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
200
货期
现货
BSC080P03LSG-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
BSC080P03LSG-HXY概述
BSC080P03LSG P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 具备优良的散热性能和空间优化设计。 该器件参数强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V， 可承载70A连续大电流， 而6mΩ的低导通电阻(RD(on))保证了高效能与低功耗表现。 广泛应用在电源转换、电机驱动等大电流处理领域， 是提升系统性能和实现节能方案的理想半导体组件选择。
BSC080P03LSG-HXY特性
暂无产品特性。
BSC080P03LSG-HXY应用领域
暂无应用领域。