BSC080P03LS G-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
BSC080P03LS G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中， 为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。 DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -30V； -120A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
10
货期
现货
BSC080P03LS G-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
BSC080P03LS G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中， 为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。 DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -30V； -120A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
BSC080P03LS G-VB特性
暂无产品特性。
BSC080P03LS G-VB应用领域
暂无应用领域。