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BSC080N03LS G-VB
IC

QFN-8

可供量大可议

BSC080N03LS G-VB

台积电流片, 长电封测。 򬓹 򏟋 V, 򑵼 򏟋 A, RDS(ON), 𛾾 mΩ@󗙻 򏟋 V, 񤗸 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 򏟋 񄂹 򑵼 򘞟 Vth(V) 封装:QFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )产品是一款单极性N 型 MOSFET, 该产品适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景

品牌

VBsemi

封装

QFN-8

库存

70

货期

现货

BSC080N03LS G-VB参数

封装QFN-8
品牌VBsemi/微碧半导体
批次23+
分类场效应管(MOSFET)
库存70
MOQ / SPQ5 / 1

BSC080N03LS G-VB概述

台积电流片, 长电封测。 򬓹 򏟋 V, 򑵼 򏟋 A, RDS(ON), 𛾾 mΩ@󗙻 򏟋 V, 񤗸 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 򏟋 񄂹 򑵼 򘞟 Vth(V) 封装:QFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )产品是一款单极性N 型 MOSFET, 该产品适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景

BSC080N03LS G-VB特性

暂无产品特性。

BSC080N03LS G-VB应用领域

暂无应用领域。

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