BSC079N10NSGATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC079N10NSGATMA1-HXY
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 在高电流工作条件下， 其低导通电阻有助于显著降低功率损耗， 提升系统效率。 适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类高效能电力电子转换电路， 能够在严苛电气环境中保持稳定可靠的运行性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
91
货期
现货
BSC079N10NSGATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 91 |
BSC079N10NSGATMA1-HXY概述
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 在高电流工作条件下， 其低导通电阻有助于显著降低功率损耗， 提升系统效率。 适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类高效能电力电子转换电路， 能够在严苛电气环境中保持稳定可靠的运行性能。
BSC079N10NSGATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSC079N10NSGATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。