BSC079N03SG-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC079N03SG-HXY
该N沟道MOSFET具备50A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为6.5毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其较低的导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和发热， 提升系统效率。 适用于开关电源、负载开关、电池管理系统以及高频功率转换等电路， 在紧凑型设计中可提供可靠的电气性能和良好的热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
BSC079N03SG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
BSC079N03SG-HXY概述
该N沟道MOSFET具备50A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为6.5毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其较低的导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和发热， 提升系统效率。 适用于开关电源、负载开关、电池管理系统以及高频功率转换等电路， 在紧凑型设计中可提供可靠的电气性能和良好的热稳定性。
BSC079N03SG-HXY特性
暂无产品特性。
BSC079N03SG-HXY应用领域
暂无应用领域。