BSC077N12NS3G
IC
TDSON-8(5x6)
可供量大可议
BSC077N12NS3G
特性：N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度150℃。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TDSON-8(5x6)
库存
5,000
货期
现货
BSC077N12NS3G参数
| 封装 | TDSON-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5000 |
BSC077N12NS3G概述
特性：N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度150℃。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSC077N12NS3G特性
暂无产品特性。
BSC077N12NS3G应用领域
暂无应用领域。