BSC076N04ND
IC
TDSON-8-EP(5x6)
可供量大可议
BSC076N04ND
特性：双N沟道， 正常电平快速开关MOSFET。 针对驱动应用优化的技术。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TDSON-8-EP(5x6)
库存
147
货期
现货
BSC076N04ND参数
| 封装 | TDSON-8-EP(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 147 |
BSC076N04ND概述
特性：双N沟道， 正常电平快速开关MOSFET。 针对驱动应用优化的技术。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSC076N04ND特性
暂无产品特性。
BSC076N04ND应用领域
暂无应用领域。